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QPD2560L

Name: Qorvo QPD2560L
Brand: Qorvo
SKU: 772-QPD2560L
Price: 776.69 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

772-QPD2560L

Herst.- Nr.:

QPD2560L

Herst.:

Qorvo

Beschreibung:

GaN FETs 1-1.5 GHz, 300W, NI-650

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

QPD2560L Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Qorvo
Produktkategorie:	GaN FETs
Verpackung/Gehäuse:	NI-650
Id - Drain-Gleichstrom:	33 A
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 2.8 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Pd - Verlustleistung:	285 W
Marke:	Qorvo
Entwicklungs-Kit:	QPD2560LEVB
Maximale Drain-Gate-Spannung:	50 V
Maximale Betriebsfrequenz:	1.5 GHz
Mindestbetriebsfrequenz:	1 GHz
Ausgangsleistung:	338 W
Produkt-Typ:	GaN FETs
Serie:	QPD2560
Verpackung ab Werk:	25
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	GaN, SiC
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	145 V

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Datenblatt

QPD2560L Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

USHTS:: 8541497080
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

QPD2560L 300 W GaN/SiC HEMT

Der Qorvo QPD2560L /SiC HEMT ist ein‑GaN-auf-SiC-HEMT (High Electron Mobility TRANSISTOR), der für anspruchsvolle L-Band-Applikationen entwickelt wurde und im Frequenzbereich 300 W 1.0 GHz 1,5 GHz arbeitet. Der Qorvo QPD2560L wurde für ein robustes HF‑Betriebsverhalten entwickelt und bietet eine Sättigungs‑Ausgangsleistung von bis zu 55,4 dBm, einen Großsignal‑Gain von 15 dB und einen Drain‑Wirkungsgrad von 65 %. Dies macht den HEMT sowohl für den CW‑ als auch für den gepulsten Betrieb gut geeignet.