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SIRS5700DP-T1-RE3

Name: Vishay SIRS5700DP-T1-RE3
Brand: Vishay
SKU: 78-SIRS5700DP-T1-RE3
Price: 3.99 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIRS5700DP-T1-RE3

Herst.- Nr.:

SIRS5700DP-T1-RE3

Herst.:

Vishay

Beschreibung:

MOSFETs N-CH 150V Vds 20Vgs 144A Rds .0062

Datenblatt:

SIRS5700DP-T1-RE3 Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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-.-- CHF

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Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	3.99 CHF	3.99 CHF
	2.65 CHF	26.50 CHF
	1.88 CHF	188.00 CHF
	1.64 CHF	820.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	1.56 CHF	4 680.00 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SO-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	144 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	73 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	278 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	25 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	122 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	21 ns
Serie:	SiRS5700DP
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns

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Ausgewählte Attribute: 0

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Datenblatt

SIRS5700DP-T1-RE3 Datenblatt

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

SiRS5700DP 150 V-n-Kanal-MOSFET (D-S)

Der SiRS5700DP (D-S) n-Kanal-150 V MOSFET von Vishay ist ein TrenchFET®-Gen-V-Leistungs-MOSFET mit einer sehr niedrigen R_DS x Q_g -Gütezahl (FOM). Der SiRS5700DP von Vishay optimiert den Leistungswirkungsgrad, und der R_{DS (on)} des Bauteils reduziert die Verlustleistung während der Leitung und sorgt für einen effizienten Betrieb. Dieser MOSFET wird einer 100 %-R_g - und UIS-Prüfung unterzogen und garantiert Zuverlässigkeit. Darüber hinaus verbessert das Bauteil die Verlustleistung und reduziert den thermischen Widerstand (R_thJC), wodurch es eine ideale Wahl für Hochleistungsapplikationen ist.