Fast Asynchronous SRAM Devices

Alliance Memory Fast Asynchronous Static Random Access Memory (SRAM) devices are high-performance CMOS SRAMs designed for performance and reliability. These devices are ideal for memory applications where fast data access and simple interfacing are desired. The Fast Asynchronous SRAM modules feature low power consumption. These devices support the full range of 1.6V and 5V asynchronous SRAMs used with mainstream Digital Signal Processors (DSPs) and microcontrollers. Typical applications include commercial products, consumer products, industrial products, and medical products.

Ergebnisse: 54
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Verpackung
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 512K x 8, 3.3V, 36ball TFBGA (6mmx8mm), Industrial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-36 Reel
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 44pin TSOP II, 8ns, Industrial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

4 Mbit 256 k x 16 8 ns Parallel 3.6 V 3 V 80 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-II-44 Reel
Alliance Memory SRAM SRAM, 4Mb, 256K x 16, 3.3V, 48ball TFBGA, (B-die) Industrial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel
Alliance Memory SRAM 4M 2.7V 10ns FAST 256Kx16 Asynch SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.7 V 70 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape