NTJD5121N/NVJD5121N Dual-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
onsemi NTJD5121N/NVJD5121N n-Zweikanal-Leistungs-MOSFETs verfügen über einen niedrigen RDS(on), einen Gate-Schwellenwert und eine Eingangskapazität. Die NTJD5121N/NVJD5121N MOSFETs von onsemi verfügen über eine Drain-Source-Spannung von 60 V und einen maximalen Dauersenkenstrom von 295 A. Die NTJD5121N/NVJD5121N sind AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig und eignen sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen.
