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TPSM63604RDLR

Name: Texas Instruments TPSM63604RDLR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-TPSM63604RDLR
Price: 11.39 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-TPSM63604RDLR

Herst.- Nr.:

TPSM63604RDLR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Schaltspannungsregler 36-V input 16-V out put 4-A synchronous

Datenblatt:

TPSM63604RDLR Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 11.39	CHF 11.39
	CHF 8.97	CHF 89.70
	CHF 8.36	CHF 209.00
	CHF 7.70	CHF 770.00
	CHF 7.38	CHF 1 845.00
	CHF 7.20	CHF 3 600.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	CHF 7.03	CHF 7 030.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Schaltspannungsregler
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	B3QFN-20
Struktur:	Buck
Ausgangsspannung:	1 V to 16 V
Ausgangsstrom:	4 A
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Eingangsspannung – Min:	3 V
Eingangsspannung – Max:	36 V
Ruhestrom:	7 uA
Schaltfrequenz:	200 kHz to 2.2 MHz
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	TPSM63604
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Ladungsregulierung:	0.1 %, 1 mV
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	15 mA
Produkt-Typ:	Switching Voltage Regulators
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Typ:	Synchronous Buck DC/DC Power Module

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TPSM63604RDLR Datenblatt

PCN

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

TPSM63604 Synchrones Abwärtsleistungsmodul

Das Texas Instruments TPSM63604 synchrone Abwärtsleistungsmodul ist eine hochintegrierte DC/DC-Lösung mit 36 V und 4 A, die Leistungs-MOSFETs, eine geschirmte Induktivität und passive Bauelemente in einem Enhanced-HotRod™-QFN-Gehäuse kombiniert. Das Modul verfügt über V_IN- und V_OUT-Pins an den Ecken des Gehäuses für eine optimierte Platzierung des Eingangs- und Ausgangskondensators. Vier größere Wärme-Pads an der Unterseite des Moduls ermöglichen ein einfaches Layout und eine leichte Handhabung in der Fertigung.