ZXTP56020FDBQ-7

Diodes Incorporated
621-ZXTP56020FDBQ-7
ZXTP56020FDBQ-7

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT 20V DUAL PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR

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0.729 CHF 0.73 CHF
0.451 CHF 4.51 CHF
0.293 CHF 29.30 CHF
0.225 CHF 112.50 CHF
0.203 CHF 203.00 CHF
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0.174 CHF 522.00 CHF
0.16 CHF 960.00 CHF
0.159 CHF 1 431.00 CHF
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Diodes Incorporated
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
RoHS:  
Si
SMD/SMT
UDFN6
PNP
Dual
2 A
20 V
20 V
7 V
390 mV
2.47 W
- 55 C
+ 150 C
AEC-Q101
ZXTP56020FDBQ
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Diodes Incorporated
Kollektorgleichstrom: - 2 A
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min: 100
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 6,500 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541210000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

ZXTP56020FDBQ Bipolartransistor

Der Bipolartransistor ZXTP56020FDBQ von Diodes Inc. ist ein bipolarer Sperrschicht-Transistor (BJT) mit 20V-Dual-PNP-Konfiguration in einem kompakten U-DFN2020-6 SWP-Gehhäuse mit flachem Profil. Dieser BJT ist nach Standard AEC-Q101 für hohe Zuverlässigkeit qualifiziert. Der ZXTP56020FDBQ Transistor verfügt über eine Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung von -20 V (BVCEO) und einen hohen kontinuierlichen Kollektorstrom von -2 A. Dieser bipolare Transistor bietet eine Verlustleistung von bis zu 2,47 W für Applikationen mit hohen Leistungsanforderungen. Der ZXTP56020FDBQ BJT arbeitet im Temperaturbereich von -55 °C bis 155 °C und bietet eine niedrige Sättigungsspannung von -150 mV bei -1 A. Typische Applikationen sind Matrix-LED-Beleuchtung und Energiemanagement.