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BGSX22G5A10E6327XTSA1

Name: Infineon BGSX22G5A10E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGSX22G5A10E6327
Price: 1.3 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-BGSX22G5A10E6327

Herst.- Nr.:

BGSX22G5A10E6327XTSA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

HF-Schalt-ICs ANTENNA DEVICES

Datenblatt:

BGSX22G5A10E6327XTSA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.30	CHF 1.30
	CHF 0.79	CHF 7.90
	CHF 0.664	CHF 16.60
	CHF 0.504	CHF 50.40
	CHF 0.436	CHF 109.00
	CHF 0.382	CHF 191.00
	CHF 0.344	CHF 344.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 4500)
	CHF 0.294	CHF 1 323.00
	CHF 0.255	CHF 2 295.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	HF-Schalt-ICs
RoHS:
Schalter-Konfiguration:	DPDT
Mindestfrequenz:	100 MHz
Maximalfrequenz:	6 GHz
Einfügungsverlust:	1.1 dB
Off-Isolierung - Typ.:	31 dB
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	ATSLP-10
Technologie:	Si
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Infineon Technologies
Anzahl der Schalter:	Dual
Betriebsversorgungsstrom:	55 uA
Produkt-Typ:	RF Switch ICs
Verpackung ab Werk:	4500
Unterkategorie:	Wireless & RF Integrated Circuits
Versorgungsspannung - Max.:	3.4 V
Versorgungsspannung - Min.:	1.65 V
Artikel # Aliases:	BGSX 22G5A10 E6327 SP001777960
Gewicht pro Stück:	2.480 mg

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: 5A991.g

Antennen-zentrische Bauteile

Infineon Technologies Antennen-zentrische Bauteile verbessern die Datenrate erheblich in tragbaren Mobilfunkgeräten und reduzieren gleichzeitig den Stromverbrauch. Moderne 3G/4G-Smartphones müssen einen großen Frequenzbereich abdecken und gleichzeitig müssen Multiband-Antennen in ihrer Größe reduziert werden. Die Antennen-zentrischen Bauteile von Infineon optimieren die Antennenleistung in den erforderlichen Frequenzbändern zur Verbesserung des Empfangs von schwachen Signalen und zur Ausstrahlung von Effizienz. Dadurch wird der Stromverbrauch von den Leistungsverstärkern indirekt reduziert. Die Antennen-zentrischen Bauteile sind für verschiedene Tuning-Konzepte ausgelegt und unterstützen große Variationen der Antennenimpedanz mit sehr niedrigen RON-Werten und einer hohen Spannungsbelastbarkeit. Die Antennen-zentrischen Bauteile von Infineon sind sowohl mit GPIO (Universal-Eingang/Ausgang) und der standardisierten MIPI-RFFE-Schnittstelle (mobile Industrie-Prozessor-Schnittstelle für HF-Frontend) erhältlich.

Antennen-Kreuzschalter

Die Antennen-Kreuzschalter von Infineon Technologies wurden für fortschrittliche 5G-SRS-Anwendungen entwickelt und bieten eine außergewöhnliche Leistung mit hoher Linearität bis zu einer Eingangsleistung von 39 dBm. Die Schalter ermöglichen das Umschalten zwischen den Antennen, um die leistungsstärkste Antenne zur Optimierung der Sendeleistung für einen Up-Link (UL) oder eine verbesserte Empfangsempfindlichkeit für einen Down-Link (DL) auszuwählen. Die Antennen-Kreuzschalter zeichnen sich durch einen geringen Stromverbrauch aus, wodurch die Bauteile effizient für stromsparende Designs bei gleichzeitiger Beibehaltung einer geringen Einfügedämpfung für eine optimale Signalqualität sind. Mit einer hohen Anschluss-zu-Anschluss-Isolierung von bis zu 7,125 GHz minimieren die Bauteile effektiv Interferenzen zwischen den Kanälen. Darüber hinaus zeichnen sich die Antennen-Kreuzschalter von Infineon Technologies durch eine maximale schnelle Schaltzeit von nur 2 µs aus, wodurch eine schnelle Reaktion und ein zuverlässiger Betrieb in dynamischen Kommunikationsumgebungen gewährleistet wird.

BGSX22G5A10 DPDT-Antennen-Kreuzschalter

Der Infineon Technologies BGSX22G5A10 DPDT-Antennen-Kreuzschalter ist für LTE- und WCDMA-Triple-Antennenapplikationen ausgelegt. Dieser DPDT bietet eine niedrige Einfügungsdämpfung und eine geringe Oberwellenerzeugung zusammen mit einer hohen Isolierung zwischen den HF-Anschlüssen. Der Schalter wird über eine GPIO-Schnittstelle gesteuert. Der On-Chip-Controller ermöglicht Stromversorgungsspannungen von 1,65 V bis 3,4 V. Der Schalter verfügt über einen Direkt-Verbindung-zu-Batterie-Funktionsumfang und DC-freie HF-Anschlüsse. Anders als die GaAs-Technologie, sind externe DC-Sperrkondensatoren bei den HF-Anschlüssen nur erforderlich, wenn die DC-Spannung extern angelegt wird. Der BGSX22G5A10 HF-Schalter wird unter Verwendung der patentierten MOS-Technologie von Infineon hergestellt und bietet die Leistung von GaAs mit der Wirtschaftlichkeit und Integration von herkömmlichen CMOS-Bausteinen, einschließlich einer hohen ESD-Robustheit. Das Bauteil verfügt über eine sehr kleine Größe von nur 1,1 x 1,5 mm² mit einer maximalen Dicke von 0,55 mm.