STDRIVEG611 Halbbrücken-GATE-Treiber

STMicroelectronics STDRIVEG611 Halbbrücken-GATE Treiber sind Hochspannungs-Halbbrücken- GATE- Treiber für N-Kanal-Enhancement Modus -GaN. Der High-Side-Treiberbereich ist für eine Spannung von bis zu 600 V ausgelegt und kann problemlos über die integrierte Bootstrap-Diode versorgt werden. Hohe Strombelastbarkeit, kurze Ausbreitungsverzögerung mit ausgezeichneter Verzögerungsanpassung und integrierte LDOs machen den STDRIVEG611 optimal für den Betrieb von Hochgeschwindigkeits-GaN.

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Menge RoHS ECAD Model Produkt
Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Treiber
Anzahl der Ausgänge
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Konfiguration
Anstiegszeit
Abfallzeit
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Verpackung
STMicroelectronics Gate-Treiber High voltage and high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
Datenblatt
230Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT QFN-18 2 Driver 3 Output 10.6 V 18 V Inverting, Non-Inverting 11 ns 22 ns - 40 C + 125 C Tray
STMicroelectronics Gate-Treiber High voltage, high-speed half-bridge gate driver for GaN power switches
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
Rolle: 3 000

Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT QFN-18 2 Driver 3 Output 10.6 V 18 V Inverting, Non-Inverting 11 ns 22 ns - 40 C + 125 C Reel