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NVMFWS002N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFWS002N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MFWS002N10MCLT1G
Price: 3.44 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-MFWS002N10MCLT1G

Herst.- Nr.:

NVMFWS002N10MCLT1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

MOSFETs PTNG 100V LL SO8FL HE

Datenblatt:

NVMFWS002N10MCLT1G Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	3.44 CHF	3.44 CHF
	2.26 CHF	22.60 CHF
	1.59 CHF	159.00 CHF
	1.46 CHF	730.00 CHF
	1.36 CHF	1 360.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	1.36 CHF	2 040.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DFN-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	177 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	97 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	164 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Abfallzeit:	105 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	200 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	30 ns
Serie:	NVMFWS002N10MC
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	250 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	24 ns

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Datenblatt

NVMFWS002N10MCLT1G Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-07-03 (PDF)

Material Composition Disclosure

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NVMFWS002N10MCL n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

onsemi NVMFWS002N10MCL n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs verfügen über einen Dauersenkenstrom von 177 A, einen R_DS(ON) von 2,8 mΩ bei 10 V und eine Drain-to-Source-Spannung von 100 V. Der NVMFWS002N10MCL ist in einem Flat-Lead-Gehäuse von 5 mm x 6 mm erhältlich, das für kompakte und effiziente Designs ausgelegt ist. Der AEC-Q101-qualifizierte MOSFET von onsemi ist PPAP-fähig und eignet sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen.