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IRF150DM115XTMA1

Name: Infineon IRF150DM115XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IRF150DM115XTMA1
Price: 3.13 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

726-IRF150DM115XTMA1

Herst.- Nr.:

IRF150DM115XTMA1

Herst.:

Infineon Technologies

Beschreibung:

MOSFETs IFX FET >100-150V

Datenblatt:

IRF150DM115XTMA1 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	3.13 CHF	3.13 CHF
	2.05 CHF	20.50 CHF
	1.48 CHF	148.00 CHF
	1.22 CHF	610.00 CHF
	1.13 CHF	2 825.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 4800)
	1.13 CHF	5 424.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Infineon
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WG-WDSON-5
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	150 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.8 V
Qg - Gate-Ladung:	33 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	78 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	OptiMOS DirectFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Infineon Technologies
Abfallzeit:	14 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	21 ns
Verpackung ab Werk:	4800
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	14 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns
Artikel # Aliases:	IRF150DM115 SP001511080

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Datenblatt

IRF150DM115XTMA1 Datenblatt (PDF)

Product Catalogs

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Konformitätscodes

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Mexiko
Herstellungsland:: Mexiko
Land der Verbreitung:: Österreich

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

IRF150DM115 OptiMOS™-5-150 V-MOSFET

Der OptiMOS™-5-150-V-MOSFET IRF150DM115 von Infineon Technologies wurde zur Optimierung des thermischen Designs entwickelt, um eine hohe Leistungsdichte und einen hohen Wirkungsgrad zu erreichen. Dieser MOSFET bietet eine bahnbrechende Reduzierung des R_DS(on) (bis zu 25 % im Vergleich zur Alternative in SuperSO8) und Q_rr, ohne FOM_gd und FOM_OSS zu beeinträchtigen. Dadurch wird der Konstruktionsaufwand effektiv reduziert und die Systemeffizienz optimiert. Der MOSFET IRF150DM115 ist in einem DirectFET™-Gehäuse mit OptiMOS™ 5 verfügbar. Das doppelseitig gekühlte Gehäuse mit geringer parasitärer Induktivität und Profilgestaltung ermöglicht Designs mit hoher Leistungsdichte. Dieser OptiMOS-5-150-V-MOSFET eignet sich für den Einsatz bei der gezielten Leistungsumwandlung in Photovoltaik-Optimierern, schnurlosen Elektrowerkzeugen und Motorsteuerungen. Zu den möglichen Applikationen gehören Mikro-Solar-Wechselrichter, Synchrongleichrichtung und DC/DC-Wandler.