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FGHL50T65SQDT

Name: onsemi FGHL50T65SQDT
Brand: onsemi
SKU: 863-FGHL50T65SQDT
Price: 5.07 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-FGHL50T65SQDT

Herst.- Nr.:

FGHL50T65SQDT

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs 650 FS4 HI SPEED 50 A WITH FULL RATING FRD

Datenblatt:

FGHL50T65SQDT Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.47 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	100 A
Pd - Verlustleistung:	268 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	FGHL50T65SQDT
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs

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Datenblatt

FGHL50T65SQDT Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Tschechische Republik
Herstellungsland:: China
Land der Verbreitung:: Tschechische Republik

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

FGHL50T65SQDT IGBTs

Der FGHL50T65SQDT IGBT von Onsemi ist ein Field-Stop-IGBT der 4. Generation, der optimale Leistung bietet. Diese IGBTs ermöglichen einen einfachen Parallelbetrieb mit geringen Leitungs- und Schaltverlusten. Der FGHL50T65SQDT von Onsemi ist ideal für Applikationen, bei denen niedrige Leitungs- und Schaltverluste von entscheidender Bedeutung sind, einschließlich Solar-Umrichter, Unterbrechungsfreie Stromversorgungen (UPS), Telekommunikation, Energiespeichersysteme (ESS) und Blindleistungskompensation (PFC).