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SI4056ADY-T1-GE3

Name: Vishay SI4056ADY-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI4056ADY-T1-GE3
Price: 1.03 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SI4056ADY-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SI4056ADY-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs SOT669 100V 8.3A N-CH MOSFET

Datenblatt:

SI4056ADY-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.03	CHF 1.03
	CHF 0.645	CHF 6.45
	CHF 0.426	CHF 42.60
	CHF 0.332	CHF 166.00
	CHF 0.301	CHF 301.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 0.268	CHF 670.00
	CHF 0.261	CHF 1 305.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8.3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	29.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	19.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	5 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	49 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	TrenchFET Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Gewicht pro Stück:	750 mg

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Si4056ADY n-Kanal-MOSFET

Der Vishay/Siliconix Si4056ADY n-Kanal-MOSFET wird in einem SO-8-Gehäuse geliefert und bietet eine Drain-Quellen-Nennspannung von 100 V und einen gepulsten Drainstrom von 40 A. Der MOSFET verfügt über eine sehr niedrige R_DS x Qg-Gütezahl (FOM) und ist auf den niedrigsten R_DS x Q_oss FOM abgestimmt. Der Si4056ADY n-Kanal-MOSFET von Vishay eignet sich hervorragend für primärseitige Schalter, LED-Treiber, Lastschalter und die Synchrongleichrichtung.

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen R_DS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.