OptiMOS™ 7 40 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Infineon Technologies OptiMOS™ 7 40 V Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen sind Hochstrom-MOSFETs mit niedrigem RDS(on) und optimiertem Schaltverhalten. Diese N-Kanal- Fahrzeug MOSFETs bieten Hochleistungsdichte, geringe Leitungsverluste und Hochstromdichte. Die OptiMOS™ 7 MOSFETs sind in einem fortschrittlichen unbedrahteten 3 mm x 3 mm Gehäuse mit Cu-Clip für einen niedrigen Gehäuse-Ron und eine minimale Streuinduktivität verfügbar. Diese MOSFETs sind 100 % Avalanche-getestet und RoHs-konform. Die OptiMOS™ 7 MOSFETs eignen sich hervorragend für Applikationen, wie z. B. Leistungsverteilung, Fensterheber, Powersitz, EPS mit hoher Redundanz und Karosseriesteuerungsmodule.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Handelsname
Verpackung
Infineon Technologies MOSFETs 40 V, N-Ch, 2.46 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7
Datenblatt
4 970erwartet ab 12.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 129 A 2.46 mOhms 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor
Datenblatt
20 000erwartet ab 02.07.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 3.05 mOhms 16 V 1.8 V 18 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFETs MOSFET_(20V 40V)
Datenblatt
20 000Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

OptiMOS Reel, Cut Tape