IS20M8R0S1P

Name: iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 25-IS20M8R0S1P
Price: 4.67 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

25-IS20M8R0S1P

Herst.- Nr.:

IS20M8R0S1P

Herst.:

iDEAL Semiconductor

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Hersteller:	iDEAL Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	200 V
Id - Drain-Gleichstrom:	128 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.1 V
Qg - Gate-Ladung:	73 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	333 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	iDEAL Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	US
Ursprungsland:	US
Abfallzeit:	5.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	37 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5.9 ns
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	41.8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	18.7 ns