DXTN80x NPN-Bipolartransistoren

Diodes Incorporated DXTN80x NPN Bipolartransistoren bieten eine kleine Baugröße und ein thermisch effizientes PowerDI® 3333-8 Gehäuse, das Endprodukte mit höherer Dichte ermöglicht. Die Bauteile liefern eine Kollektor-Emitter- Spannung von > 30 V, 60 V oder 100 V und eine Emitter-Basis- Spannung > 8 V. Der DXTN80x ist ideal für Umgebungen mit hohen Temperaturen, mit einer Temperaturbewertung von +175 °C. Die NPN- Bipolartransistoren Diodes Inc DXTN80x eignen sich hervorragend für Motoren, Solenoide, Relais und Aktuator-Treibersteuerungen.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Konfiguration
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.
Kollektor-Basisspannung VCBO
Emitter-Basisspannung VEBO
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter
Pd - Verlustleistung
Bandbreitengewinnungsprodukt fT
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Qualifikation
Serie
Verpackung
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Datenblatt
1 791Auf Lager
2 000erwartet ab 08.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 30 V 80 V 8 V 120 mV 2.4 W 130 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Datenblatt
3 841Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 60 V 100 V 8 V 100 mV 2.4 W 140 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Bipolartransistoren - BJT Pwr Low Sat Transistor PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
Datenblatt
1 791Auf Lager
2 000erwartet ab 20.04.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Rolle: 2 000

Si SMD/SMT PowerVDFN-8 NPN Single 100 V 150 V 8 V 130 mV 2.4 W 125 MHz - 55 C + 175 C AEC-Q101 DXTN Reel, Cut Tape