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STW50N65DM6

Name: STMicroelectronics STW50N65DM6
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STW50N65DM6
Price: 3.26 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STW50N65DM6

Herst.- Nr.:

STW50N65DM6

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFETs N-channel 650 V, 74 mOhm typ., 33 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package

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Datenblatt:

STW50N65DM6 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	33 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	91 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.75 V
Qg - Gate-Ladung:	52.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	250 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	MDmesh
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	4.430 g

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Datenblatt

STW50N65DM6 Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 MOSFETs

STMicroelectronics Automotive-Grade N-Channel MDmesh DM2 Power MOSFETs are high-voltage with very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low R_DS(on). They are suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.