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RD3N07BBHTL1

Name: ROHM Semiconductor RD3N07BBHTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3N07BBHTL1
Price: 2.82 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-RD3N07BBHTL1

Herst.- Nr.:

RD3N07BBHTL1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs TO252 N-CH 80V 105A

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

RD3N07BBHTL1 Datenblatt

ECAD Model:

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	CHF 2.82	CHF 2.82
	CHF 1.84	CHF 18.40
	CHF 1.29	CHF 129.00
	CHF 1.12	CHF 560.00
	CHF 1.07	CHF 1 070.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	CHF 1.04	CHF 2 600.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-252-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	80 V
Id - Drain-Gleichstrom:	105 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	4.4 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	46 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	89 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	38 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	25 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	16 ns
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	63 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	32 ns

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Datenblatt

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Automobilstandard-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

ROHM Semiconductor Automobilstandard-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem On-Widerstand leiten Strom bis zu 142 W ab. Das Produktangebot wird in kleinen Hochleistungsgehäusen angeboten, die den Montagebereich erheblich reduzieren. Diese MOSFETs sind AEC-Q101-qualifiziert, RoHs-konform und halogenfrei. Ideale Applikationen für n-Kanal-Automobilstandard-Leistungs-MOSFETs von ROHM umfassen Erweiterte Fahrerassistenzsysteme (FAS), Karosserie, Beleuchtung und Infotainment.