60V Automotive P-Channel MOSFETs

PANJIT 60V Automotive P-Channel MOSFETs are designed with advanced trench process technology to minimize RDS(ON) while maximizing avalanche ruggedness and space usage. With AEC-Q101 qualification and a high junction temperature of +175°C, these MOSFETs are the optimal choice for automotive design engineers who wish to simplify circuitry while optimizing performance. PANJIT’s P-channel MOSFETs can reduce the circuit complexity of power designs. These components are available in a wide range of compact packages, including SOT-23, SOT-23 6L-1, DFN2020B-6L, DFN3333-8L, DFN5060-8L, and TO-252AA.

Ergebnisse: 4
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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (CHF) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
Verpackung
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
8 093Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs Automotive Qualified 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 12 000
Mult.: 12 000
: 12 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 300 mA 13 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 1.1 nC - 55 C + 150 C 500 mW Enhancement AEC-Q101 Reel
Panjit MOSFETs 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.9 A 220 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFETs Automotive Qualified 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 12 000
Mult.: 12 000
: 12 000

Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.9 A 220 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 8.3 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement AEC-Q101 Reel