n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs

Die n-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs von onsemi sind MOSFETs mit kleinem Footprint und kompaktem Design mit niedrigem RDS(on) und geringer Kapazität. Der niedrige RDS(on)-Wert sorgt für eine Reduzierung der Leitungsverluste und die geringe Kapazität reduziert die Treiberverluste. Diese n-Einkanal-Leistungs-MOSFETs sind bleifrei und RoHS-konform und verfügen über einen Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C.

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Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
onsemi MOSFETs PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 DUAL COOL 2.0 MOHMS MAX
Datenblatt
1 251Auf Lager
3 000erwartet ab 11.12.2026
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT TDFNW-8 N-Channel 1 Channel 100 V 236 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 89 nC - 55 C + 175 C 255 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFETs PTNG 150V IN CEBU DFNW 8X8 DUAL COOL FOR INDUSTRIAL
Datenblatt
41Auf Lager
3 000erwartet ab 13.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Si SMD/SMT Dual Cool 88-8 N-Channel 1 Channel 150 V 174 A 4.45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 175 C 293 W Enhancement Reel, Cut Tape