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MUN2132T1G

Name: onsemi MUN2132T1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MUN2132T1G
Price: 0.15 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-MUN2132T1G

Herst.- Nr.:

MUN2132T1G

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

Digitaltransistoren SS BR XSTR PNP 50V

Datenblatt:

MUN2132T1G Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.154	CHF 0.15
	CHF 0.091	CHF 0.91
	CHF 0.057	CHF 5.70
	CHF 0.041	CHF 20.50
	CHF 0.037	CHF 37.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	CHF 0.032	CHF 96.00
	CHF 0.028	CHF 168.00
	CHF 0.024	CHF 216.00
	CHF 0.02	CHF 480.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	Digitaltransistoren
RoHS:
Konfiguration:	Single
Transistorpolung:	PNP
Regeleingangswiderstand:	4.7 kOhms
Regelwiderstandsverhältnis:	1
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SC-59
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min:	15
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	50 V
Kollektorgleichstrom:	100 mA
Spitzen-Kollektorgleichstrom (DC):	100 mA
Pd - Verlustleistung:	338 mW
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	MUN2132
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	MY
Produkt-Typ:	Digital Transistors
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Gewicht pro Stück:	8 mg

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Datenblatt

MUN2132T1G Datenblatt

PCN

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Bipolare NPN-Digitaltransistoren

Die bipolaren NPN-Digitaltransistoren von onsemi sind monolithische Vorspannungswiderstandsnetzwerke, die als Ersatz für ein einzelnes Bauelement und sein externes Widerstandsvorspannungsnetzwerk ausgelegt sind. Diese Vorspannungswiderstands-Transistoren (BRTs) bestehen aus zwei Widerständen, einem Serienbasiswiderstand (22 k Ω) und einem Basis-Emitter-Widerstand (47 kΩ). Der BRT macht einzelne Bauelemente überflüssig und integriert sie in einem einzigen Bauelement. Dieser BRT ist nach AEC-Q101 qualifiziert und PPAP-fähig. Der BRT ist blei- und halogen-/BFR-frei und RoHs-konform. Zu den typischen Anwendungen gehören der Batterieverpolungsschutz, DC/DC-Wandler-Ausgangstreiber und Hochgeschwindigkeitsschaltung.