CoolSiC™ 750 V G2 Siliziumkarbid-MOSFETs

Die CoolSiC™ 750 V G2 Siliciumcarbid-MOSFETs von Infineon Technologies sind so konzipiert, dass sie einen hohen Wirkungsgrad, Robustheit gegen parasitäres Einschalten für unipolare Gate-Ansteuerung und Zuverlässigkeit bieten. Diese MOSFETs bieten ein überlegenes Betriebsverhalten in Totem-Pole-, ANPC-, Vienna-Gleichrichter- und FCC-Hartschalt-Topologien.  Die Reduzierung der Ausgangskapazität (Coss) ermöglicht es den MOSFETs, in den Cycloconverter-, CLLC-, DAB- und LLC-Soft-Switching-Topologien bei höheren Schaltfrequenzen zu arbeiten. Die CoolSiC™ 750 V G2 MOSFETs zeichnen sich durch einen maximalen Drain-Source-Einschaltwiderstand von bis zu 78 mΩ sowie durch geringe Schaltverluste dank verbesserter Gate-Steuerung aus. Diese MOSFETs sind sowohl fahrzeug- als auch industrietauglich. Typische Applikationen umfassen Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, Telekommunikation, Leistungsschalter, Halbleiterrelais, Solar-Wechselrichter und HV-LV DC/DC-Wandler.