ZXMN6A09GQTA

Diodes Incorporated
621-ZXMN6A09GQTA
ZXMN6A09GQTA

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 1K

ECAD Model:
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Diodes Incorporated
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOT-223-3
N-Channel
1 Channel
60 V
7.5 A
40 mOhms
- 20 V, 20 V
3 V
24.2 nC
- 55 C
+ 150 C
2 W
Enhancement
AEC-Q101
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Diodes Incorporated
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 4.6 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 5 ns
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 25.3 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 4.9 ns
Gewicht pro Stück: 112 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Automotive-MOSFETs

Die Automotive-MOSFETs von Diodes Incorporated erfüllen die Anforderungen für Zuverlässigkeit gemäß AEC-Q101-Standard des Automotive Electronic Council. Produkte mit einem „Q“-Suffix bezeichnen Automobilstandard-Produkte. Das bedeutet, dass das Bauteil die strengen Anforderungen des AEC-Q101-Standards erfüllt und für Fahrzeuganwendungen vollständig unterstützt ist. Die MOSFETs unterstützen Kunden mit PPAP (Produktionsteil-Abnehmeverfahren) und TS16949-genehmigten Produktionsstandorten.