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ZXMHC3F381N8TC

Name: Diodes Incorporated ZXMHC3F381N8TC
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 522-ZXMHC3F381N8TC
Price: 1.38 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

522-ZXMHC3F381N8TC

Herst.- Nr.:

ZXMHC3F381N8TC

Herst.:

Diodes Incorporated

Beschreibung:

MOSFETs MOSFET H-BRIDGE SOP-8L

Datenblatt:

ZXMHC3F381N8TC Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+7.00 CHF)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1.38 CHF	1.38 CHF
	0.881 CHF	8.81 CHF
	0.584 CHF	58.40 CHF
	0.459 CHF	229.50 CHF
	0.42 CHF	420.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0.375 CHF	937.50 CHF

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 7.00 CHF hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Diodes Incorporated
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-8
Transistorpolung:	N-Channel, P-Channel
Anzahl der Kanäle:	4 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4.13 A, 4.98 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	33 mOhms, 55 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	9 nC, 12.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	870 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Diodes Incorporated
Konfiguration:	Quad
Abfallzeit:	6.3 ns, 21 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	11.8 S, 14 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3.3 ns, 3 ns
Serie:	ZXMHC3
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel, 2 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	11.5 ns, 30 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	2.5 ns, 1.9 ns
Gewicht pro Stück:	750 mg

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Datenblatt

ZXMHC3F381N8TC Datenblatt (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

ZXMH MOSFET H-Bridges

Diodes Incorporated ZXMH MOSFET H-Bridges feature low on-resistance achievable with low gate drive. Diodes Incorporated ZXMH MOSFET H-Bridges provide 2 x N + 2 x P channels in a SOIC package and low voltage (V_gs = 4.5V) gate drive. Diodes Inc ZXMH MOSFET H-Bridge devices are ideal for DC motor control and DC-AC inverter applications.