ZXMHC10A07N8TC

Diodes Incorporated
522-ZXMHC10A07N8TC
ZXMHC10A07N8TC

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs Mosfet H-Bridge 100/-100 1.1/-0.9

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0.658 CHF 65.80 CHF
0.52 CHF 260.00 CHF
0.476 CHF 476.00 CHF
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Diodes Incorporated
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel, P-Channel
4 Channel
100 V
850 mA, 1 A
700 mOhms, 1.45 Ohms
- 20 V, 20 V
2 V
2.9 nC, 3.5 nC
- 55 C
+ 150 C
870 mW
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Diodes Incorporated
Konfiguration: Quad
Abfallzeit: 2.1 ns, 3.3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 1.6 S, 1.2 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 1.5 ns, 2.1 ns
Serie: ZXMHC10
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 2 N-Channel, 2 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 4.1 ns, 5.9 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 1.8 ns, 1.6 ns
Gewicht pro Stück: 750 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

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