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XPJ1R004PB,LXHQ

Name: Toshiba XPJ1R004PB,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-XPJ1R004PBLXHQ
Price: 1.59 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-XPJ1R004PBLXHQ

Herst.- Nr.:

XPJ1R004PB,LXHQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs S-TOGL N-CH 40V 160A

Datenblatt:

XPJ1R004PB,LXHQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	1.59 CHF	1.59 CHF
	1.02 CHF	10.20 CHF
	0.891 CHF	89.10 CHF
	0.867 CHF	433.50 CHF
	0.842 CHF	842.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1500)
	0.826 CHF	1 239.00 CHF
	0.784 CHF	2 352.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Toshiba
Produkt-Typ:	MOSFETs
Verpackung ab Werk:	1500
Unterkategorie:	Transistors

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CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

U-MOSIX-H Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Automotive-Leistungs-MOSFETs sind 40-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen. Diese Bauteile sind in einem kleinen SOP-Advance-Gehäuse (WF) mit geringem Widerstand untergebracht. Sie verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand, der den Leitungsverlust reduzieren kann. Darüber hinaus senkt die U-MOSIX-H-Baureihe im Vergleich mit der vorherigen Baureihe (U-MOSIV) von Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation’, das Rauschen beim Schalten.

L-TOGL und S-TOGL AEC-Q 40 V/80 V/100 V n-Kanal-MOSFETs

Die Toshiba L-TOGL und S-TOGL AEC-Q101 40 V/80 V/100 V n-Kanal-MOSFETs bieten einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand, eine hohe Drainstrombelastbarkeit und eine hohe Dissipation. Dies wird durch die Kombination von hoch-wärmeleitfähigen Gehäusen [L-TOGL (Large-Transistor-Outline mit Gull-Wing-Anschlüssen) und S-TOGL (Small-Transistor-Outline mit Gull-Wing-Anschlüssen)] mit den Chipprozessen U-MOS IX-H und U-MOS XH erreicht. Die L-TOGL- und S-TOGL-MOSFETs von Toshiba bieten außerdem Hochstromfähigkeit und sind für die Leitfähigkeit von hohen Temperaturen ausgelegt, um die Leistungsdichte in einer Vielzahl von Fahrzeuganwendungen zu verbessern. Das L-TOGL-Gehäuse ist in seiner Größe mit dem vorhandenen TO-220SM(W)-Gehäuse vergleichbar. Allerdings verbessert XPQR3004PB den Nennstrom erheblich und senkt den Einschaltwiderstand auf 0,23 mΩ (typisch). Der optimierte Footprint der L-TOGLs trägt auch dazu bei, die thermischen Eigenschaften im Vergleich zum TO-220SM(W)-Gehäuse in gleicher Größe zu verbessern.