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WNSC5D16650CJ6Q

Name: WeEn Semiconductors WNSC5D16650CJ6Q
Brand: WeEn Semiconductors
SKU: 771-WNSC5D16650CJ6Q
Price: 0.9 CHF
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

771-WNSC5D16650CJ6Q

Herst.- Nr.:

WNSC5D16650CJ6Q

Herst.:

WeEn Semiconductors

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden WNSC5D16650CJ/SOT1293/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK

Datenblatt:

WNSC5D16650CJ6Q Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Hersteller:	WeEn Semiconductors
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Verpackung/Gehäuse:	TO3PF-3
Konfiguration:	Common Cathode
If - Durchlassstrom:	16 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.45 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	40 A
Ir - Sperrstrom:	40 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	WeEn Semiconductors
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	480
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	650 V
Artikel # Aliases:	934072973127

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Datenblatt

WNSC5D16650CJ6Q Datenblatt (PDF)

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USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

WNSC2D16650CJ & WNSC2D20650CJ SiC Schottky Diodes

WeEn Semiconductors WNSC2D16650CJ and WNSC2D20650CJ Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes are 650V devices optimized for high-frequency switched-mode power supplies. SiC devices provide many advantages over silicon, including no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. These features result in higher efficiency, faster-operating frequency, higher power density, lower EMI, and reduced system size and cost. These diodes feature extremely fast reverse recovery time, reduced losses in associated MOSFET, and low cooling requirements.