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VS11VUA1LBTBR1

Name: ROHM Semiconductor VS11VUA1LBTBR1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-VS11VUA1LBTBR1
Price: 0.96 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

755-VS11VUA1LBTBR1

Herst.- Nr.:

VS11VUA1LBTBR1

Herst.:

ROHM Semiconductor

Beschreibung:

ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden TVS 600W 11V

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

VS11VUA1LBTBR1 Datenblatt

ECAD Model:

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	0.608 CHF	6.08 CHF
	0.40 CHF	40.00 CHF
	0.312 CHF	156.00 CHF
	0.283 CHF	283.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0.246 CHF	738.00 CHF
	0.227 CHF	1 362.00 CHF
	0.219 CHF	1 971.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Produktkategorie:	ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden
Polung:	Unidirectional
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Arbeitsspannung:	11 V
Montage:	SMD/SMT
Klemmspannung:	18.2 V
Überschlagsspannung:	12.2 V
Verpackung/Gehäuse:	SMB (DO-214AA)
Ipp - Spitzen-Impulsstrom:	33 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation (Spitzenimpuls-Verlustleistung):	600 W
Vesd - Spannung ESD-Kontakt:	30 kV
Vesd - Spannung ESD-Luftspalt:	30 kV
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	ROHM Semiconductor
Produkt:	TVS Diodes
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes

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Datenblatt

VS11VUA1LBTBR1 Datenblatt

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Konformitätscodes

CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

VSxUA1LBTBR1 Überspannungsschutzvorrichtungen

Die VSxUA1LBTBR1 Überspannungsschutzvorrichtungen von ROHM Semiconductor sind hochzuverlässige TVS-Dioden. Diese Spannungsschutzvorrichtungen bieten eine Spitzenimpulsleistung von 600 W und eine Sperrschichttemperatur von 150°C. Die VSxUA1LBTBR1 Überspannungsschutzvorrichtungen umfassen eine epitaktische planare Siliziumstruktur. Diese TVS-Dioden kommen in einem kleinen Leistungsformtyp mit einem DO-214AA (SMB) Gehäuse. Diese Überspannungsschutzvorrichtungen sind ideal für Überspannungsschutz-Applikationen.