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VS-SF50LA120

Name: Vishay VS-SF50LA120
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-SF50LA120
Price: 44.88 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-VS-SF50LA120

Herst.- Nr.:

VS-SF50LA120

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

MOSFET-Module MODULES MOSFETS - SOT-227 SIC MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

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Datenblatt:

VS-SF50LA120 Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Screw Mount
Verpackung/Gehäuse:	SOT-227-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	38 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	43 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 4 V, 15 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.4 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	136 W
Marke:	Vishay Semiconductors
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	9.28 ns
Produkt:	Power Module
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Anstiegszeit:	29.44 ns
Verpackung ab Werk:	160
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Silicon Carbide Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	27.52 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	13.44 ns

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PCN

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

VS-VF Single-Switch Silicon Carbide Power MOSFETs

Vishay Semiconductor VS-VF Single-Switch Silicon Carbide Power MOSFETs are high-performance silicon carbide (SiC) MOSFETs. The high blocking voltage, low on-resistance, high-speed switching, and low capacitance make these Vishay Semiconductor MOSFETs ideal for high-frequency switching applications, including solar inverters and EV chargers.