VS-C5TX3012-M3

Vishay Semiconductors
78-VS-C5TX3012-M3
VS-C5TX3012-M3

Herst.:

Beschreibung:
Gleichrichter 30A 1200V

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Vishay
Produktkategorie: Gleichrichter
RoHS:  
Through Hole
TO-220AB
1.2 kV
30 A
Fast Recovery Rectifiers
Common Cathode
3.3 V
110 A
50 uA
29 ns
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marke: Vishay Semiconductors
Produkt: Rectifiers
Produkt-Typ: Rectifiers
Verpackung ab Werk: 8000
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Handelsname: FRED Pt
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Technical Resources

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CNHTS:
8541590000
CAHTS:
8541100090
USHTS:
8541100080
JPHTS:
854110090
KRHTS:
8541109000
TARIC:
8541100000
MXHTS:
8541100199
BRHTS:
85411099
ECCN:
EAR99

FRED PT Ultrafast Dioden und Gleichrichter

Die FRED PT Ultrafast Dioden und Gleichrichter von Vishay Semiconductors bieten Entwicklern eine hochflexible Lösung für Verbraucher- und Automobilanwendungen. Mit Richtwerten von 200 V bis 600 V und von 3 A bis 150 A, die einzigartig in der Branche sind, ermöglicht diese Serie, den Wirkungsgrad der Stromversorgungen mit Komponenten zu erhöhen und somit Leitungs- und Schaltverluste zu minimieren. Der extrem niedrige Ableitstrom bei hoher Temperatur, das sorgfältige Design der Chip-Anschlüsse und die Konstruktion mit hochwertigen Materialien machen FRED PT zur perfekten Wahl für Automobilanwendungen.

X-Baureihe Hyperschnelle 1.200-V-Gleichrichter der 5. Generation

Vishay  X-Baureihe Hyperschnelle 1.200-V-Gleichrichter der 5. Gen. sind FRED Pt® 8-A- bis 60-A-Gleichrichter mit dem besten Kompromiss zwischen Leitungs- und  Schaltverlust für Bauteile in ihren Klassen. Diese Gleichrichter sind zur Erhöhung des Wirkungsgrads von Hochfrequenz -Wandlern und hart- und weichschaltenden oder resonanten Designs ausgelegt. Sie verfügen über geringe Leitungs- und  Schaltverluste und eignen sich hervorragend für Hochfrequenz -Wandler. Die Gleichrichter sind speziell zur Verbesserung des Wirkungsgrades von PFC und  Ausgangsgleichrichterstufen von EV/HEV-Batterielade stationen ausgelegt. Dazu gehört die Verstärkerstufe von Solarwechselrichtern und USV -Applikationen. Die Bauteile sind perfekt auf den  Betrieb mit MOSFETs oder Hochgeschwindigkeits-IGBTs abgestimmt.