VS-4C30ET12S2L-M3

Vishay Semiconductors
78-VS-4C30ET12S2L-M3
VS-4C30ET12S2L-M3

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden SiCG4D2PAK2L

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Vishay
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
TO-263AB-2
Single
30 A
1.2 kV
1.36 V
144 A
550 uA
- 55 C
+ 175 C
VS-4C30ET12S2L-M3
Marke: Vishay Semiconductors
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: HK
Pd - Verlustleistung: 250 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 800
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung: 1.2 kV
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