VS-4C20ET07S2LHM3

Vishay Semiconductors
78-VS-4C20ET07S2LHM3
VS-4C20ET07S2LHM3

Herst.:

Beschreibung:
SiC Schottky Dioden SiCG4D2PAK2L

Lebenszyklus:
Neues Produkt:
Neu von diesem Hersteller.
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 800

Lagerbestand:
800 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
12 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-.-- CHF
Erw. Preis:
-.-- CHF
Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
5.64 CHF 5.64 CHF
3.71 CHF 37.10 CHF
2.73 CHF 273.00 CHF
2.42 CHF 1 210.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
2.17 CHF 1 736.00 CHF

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Vishay
Produktkategorie: SiC Schottky Dioden
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263AB-2
Single
20 A
650 V
1.33 V
125 A
110 uA
- 55 C
+ 175 C
VS-4C20ET07S2LHM3
Reel
Cut Tape
Marke: Vishay Semiconductors
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: CN
Pd - Verlustleistung: 125 W
Produkt-Typ: SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk: 800
Unterkategorie: Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung: 650 V
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

Vishay Semiconductors Leistungs-Siliziumkarbid (SiC) Schottky Dioden sind fortschrittliche, hochleistungsfähige Gleichrichter, die für außergewöhnliche Effizienz, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen entwickelt wurden. Auf Basis von Wide-Bandgap SiC Technologie bieten diese Vishay Dioden praktisch keine Rückwärts-Erholung elektrische Ladung extrem schnelles Schalten Fähigkeit und Temperaturinvarianz Betriebsverhalten wodurch Bauteile sich ideal für HighFrequenz Leistungsumwandlung Systeme der nächsten Generation eignen.