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VS-4C06ET07S2L-M3

Name: Vishay VS-4C06ET07S2L-M3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-VS-4C06ET07S2L-M3
Price: 2.54 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-VS-4C06ET07S2L-M3

Herst.- Nr.:

VS-4C06ET07S2L-M3

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden SiCG4D2PAK2L

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

VS-4C06ET07S2L-M3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	1.63 CHF	16.30 CHF
	1.12 CHF	112.00 CHF
	0.912 CHF	456.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	0.841 CHF	672.80 CHF
	0.809 CHF	1 941.60 CHF
	0.793 CHF	3 806.40 CHF

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-263AB-2
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	6 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.3 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	39 A
Ir - Sperrstrom:	35 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	4C06ET07S2L-M3
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Vishay Semiconductors
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Pd - Verlustleistung:	59 W
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	650 V

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Datenblatt

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CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
TARIC:: 8541100000
ECCN:: EAR99

Leistungsdioden aus Siliziumkarbid mit Schottky-Übergang

Vishay Semiconductors Leistungs-Siliziumkarbid (SiC) Schottky Dioden sind fortschrittliche, hochleistungsfähige Gleichrichter, die für außergewöhnliche Effizienz, Robustheit und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Leistungselektronik-Anwendungen entwickelt wurden. Auf Basis von Wide-Bandgap SiC Technologie bieten diese Vishay Dioden praktisch keine Rückwärts-Erholung elektrische Ladung extrem schnelles Schalten Fähigkeit und Temperaturinvarianz Betriebsverhalten wodurch Bauteile sich ideal für HighFrequenz Leistungsumwandlung Systeme der nächsten Generation eignen.