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VBUS03N1-DD1HG3-08

Name: Vishay VBUS03N1-DD1HG3-08
Brand: Vishay General Semiconductor
SKU: 78-VBUS03N1-DD1HG308
Price: 0.23 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-VBUS03N1-DD1HG308

Herst.- Nr.:

VBUS03N1-DD1HG3-08

Herst.:

Vishay General Semiconductor

Beschreibung:

ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden ESD 3.3V BI

Datenblatt:

VBUS03N1-DD1HG3-08 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 0.235	CHF 0.24
	CHF 0.159	CHF 1.59
	CHF 0.068	CHF 6.80
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 10000)
	CHF 0.068	CHF 680.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	ESD-Schutzdioden / TVS-Dioden
RoHS:
Polung:	Bidirectional
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Arbeitsspannung:	3.3 V
Montage:	SMD/SMT
Klemmspannung:	21 V
Überschlagsspannung:	7 V
Verpackung/Gehäuse:	DFN-1006-B-2
Ipp - Spitzen-Impulsstrom:	4 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation (Spitzenimpuls-Verlustleistung):	90 W
Cd - Diodenkapazität:	0.4 pF
Vesd - Spannung ESD-Kontakt:	16 kV
Vesd - Spannung ESD-Luftspalt:	16 kV
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Serie:	VBUS03N1-DD1
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay General Semiconductor
Betriebsversorgungsspannung:	3.3 V
Verpackung ab Werk:	10000
Unterkategorie:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes

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Datenblatt

VBUS03N1-DD1HG3-08 Datenblatt

Models

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CNHTS:: 8541590000
TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

VBUS ESD-Schutzdioden

Die VBUS ESD-Schutzdioden von Vishay sind bidirektionale und symmetrische (BiSy) ESD-Schutzvorrichtungen. Die Bauteile leiten positive und negative Überspannungstransienten an die Erde weiter. Wenn sie zwischen der Signal- oder Datenleitung und der Masse angeschlossen werden, bieten die Dioden eine hohe Isolierung (geringer Ableitstrom, niedrige Kapazität) innerhalb des angegebenen Betriebsbereichs. Aufgrund der kurzen Führungen und der geringen Gehäusegröße des winzigen DFN1006-Gehäuses ist die Leitungsinduktivität sehr gering. Schnelle Transienten wie eine ESD-Überspannung können mit minimalen Über- oder Unterschwingungen abgefangen werden. Aufgrund der sehr geringen Kapazität kann der VBUS für Hochgeschwindigkeits-Datenanschlüsse wie HDMI, USB 3.0 oder Thunderbolt verwendet werden.