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V60170G-M3/4W

Name: Vishay V60170G-M3/4W
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-V60170G-M3/4W
Price: 2.86 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-V60170G-M3/4W

Herst.- Nr.:

V60170G-M3/4W

Herst.:

Vishay Semiconductors

Beschreibung:

Schottky Dioden & Gleichrichter 60A 170V TrenchMOS

Datenblatt:

V60170G-M3/4W Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	Schottky Dioden & Gleichrichter
RoHS:
REACH - SVHC:
Produkt:	Schottky Rectifiers
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Konfiguration:	Dual Anode Common Cathode
Technologie:	Si
If - Durchlassstrom:	60 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	170 V
Vf - Durchlassspannung:	870 mV
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	210 A
Ir - Sperrstrom:	450 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	V60170G
Verpackung:	Tube
Marke:	Vishay Semiconductors
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	Schottky Diodes & Rectifiers
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Handelsname:	TMBS
Vr - Sperrspannung:	170 V
Gewicht pro Stück:	1,890 g

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Datenblatt

V60170G-M3/4W Datenblatt

PCN

Product Change Notification 2024-10-01 (PDF)

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541100000
TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100101
ECCN:: EAR99

TMBS® Trench MOS Barrier Schottky-Gleichrichter

Vishay Semiconductors TMBS® Trench MOS Barrier Schottky-Gleichrichter sind patentierte Trench MOS Barrier Schottky(TMBS®)-Gleichrichter, verfügbar mit sieben Spannungswerten von 45V bis 200V und mehreren unterschiedlichen Gehäuseoptionen für einen großen Bereich von Systemmanforderungen. TMBS bietet diverse Vorteile im Vergleich zu planaren Schottky-Gleichrichtern. Bei Betriebsspannungen von 45V und mehr büßen planare Schottky-Gleichrichter signifikant an Leistung ihrer schnellen Schaltzeiten und geringen Durchlassspannungen ein. Die patentierte TMBS-Struktur adressiert dieses Problem, indem sie Minoritätsträgerinjektionen in die Driftregion reduziert und damit gespeicherte Ladungen minimiert und die Schaltgeschwindigkeiten erhöht.
Weitere Informationen

170V TMBS Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers

Vishay General Semiconductor 170V TMBS Trench MOS Barrier Schottky Rectifiers feature a wide range of current ratings from 10A to 80A in the power TO-220AB, TO-263AB, and TO-3PW packages. With low forward voltage drops down to 0.65V typical at 30A, these Vishay General Semiconductor rectifiers are designed for telecom power supplies.