UJ3N120065K3S

onsemi
431-UJ3N120065K3S
UJ3N120065K3S

Herst.:

Beschreibung:
JFETs 1200V/65MOSICJFETG3TO

ECAD Model:
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onsemi
Produktkategorie: JFETs
RoHS:  
SiC
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Single
1.2 kV
- 20 V to 3 V
5 uA
34 A
90 mOhms
254 W
- 55 C
+ 175 C
UJ3N
AEC-Q101
Tube
Marke: onsemi
Produkt-Typ: JFETs
Verpackung ab Werk: 600
Unterkategorie: Transistors
Handelsname: SiC JFET
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (RDS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low RDS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.