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UJ3N065080K3S

Name: onsemi UJ3N065080K3S
Brand: onsemi
SKU: 431-UJ3N065080K3S
Price: 9.59 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

431-UJ3N065080K3S

Herst.- Nr.:

UJ3N065080K3S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

JFETs 650V/80MOSICJFETG3TO2

Datenblatt:

UJ3N065080K3S Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	JFETs
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Transistorpolung:	N-Channel
Konfiguration:	Single
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Vgs - Gate-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	32 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 mOhms
Pd - Verlustleistung:	190 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	UJ3N
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Produkt-Typ:	JFETs
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Handelsname:	SiC JFET
Gewicht pro Stück:	15,489 g

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Datenblatt

UJ3N065080K3S Datenblatt

Models

SPICE Model/UJ3N065080K3S (Text)

PCN

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Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Philippinen
Herstellungsland:: Philippinen
Land der Verbreitung:: Vereinigte Staaten

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (R_DS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low R_DS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.