Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

UF3SC120009K4S

Name: onsemi UF3SC120009K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC120009K4S
Price: 59.97 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

431-UF3SC120009K4S

Herst.- Nr.:

UF3SC120009K4S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1200V/9MOSICFETG3TO247-4

Datenblatt:

UF3SC120009K4S Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi UF3SC120009K4S

Auf Lager: 511

Lagerbestand:: 511 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 31 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Dieses Produkt wird KOSTENLOS versandt

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 59.97	CHF 59.97
	CHF 49.71	CHF 497.10

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	234 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	789 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	SiC FET
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Serie:	UF3SC
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Gewicht pro Stück:	6 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

UF3SC120009K4S Datenblatt

Models

UF3SC120009K4S SPICE (Text)

PCN

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.

Qorvo UF3SC 650 V und 1200 V Hochleistungs-SiC-FETs

Qorvo UF3SC 650-V- und 1.200-V-Hochleistungs-SiC-FETs sind Siliziumkarbid-Bauelemente mit einem niedrigen R_DS(on) von 7 mΩ bis 45 mΩ. Sie sind für schnelle Schaltgeschwindigkeiten und geringere Schaltverluste konzipiert. Diese Bauteile basieren auf einzigartiger Kaskoden-Schaltung und weisen eine extrem niedrige Gate-Ladung auf. Die Kaskodenkonfiguration verwendet einen im Normalzustand eingeschalteten SiC-JFET, der mit einem Silizium-MOSFET zusammengeschaltet ist, um ein im Normalzustand gesperrtes SiC-FET-Bauelement zu erzeugen. Die UF3SC-FETs zeichnen sich durch standardmässige Gate-Treiber-Eigenschaften aus, die einen echten „Drop-in-Ersatz“ für Si-IGBTs, Si-FETs, SiC-MOSFETs oder Si-Superjunction-Bauteile ermöglichen. Diese SiC-FETs verfügen über eine niedrige intrinsische Kapazität und eine ausgezeichnete Sperrverzögerung. Die UF3SC FETs von Qorvo werden in einem Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C und einem Gate-Source-Spannungsbereich von -20 V bis +20 V betrieben. Diese SiC-FETs eignen sich hervorragend für das Laden von Elektrofahrzeugen (EV), Photovoltaik-Wechselrichter (PV), Motorantriebe, Schaltnetzteile, Blindleistungskompensationsmodule (PFC) und Induktionserwärmung. Die UF3SC SiC-FETs von Qorvo sind in TO-247-3L- und TO-247-4L-Gehäuseoptionen für ein schnelleres Schalten und saubere Gate-Wellenformen verfügbar.