UF3SC120009K4S

Name: onsemi UF3SC120009K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC120009K4S
Price: 55.85 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

431-UF3SC120009K4S

Herst.- Nr.:

UF3SC120009K4S

Herst.:

onsemi

Datenblatt:

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Lagerbestand:: 378 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 31 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	55.85 CHF	55.85 CHF
	44.07 CHF	440.70 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-4
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	234 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	789 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Handelsname:	SiC FET
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Verpackung:	Tube
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Serie:	UF3SC
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Gewicht pro Stück:	6 g