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UF3SC065030B7S

Name: onsemi UF3SC065030B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3SC065030B7S
Price: 19.71 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

431-UF3SC065030B7S

Herst.- Nr.:

UF3SC065030B7S

Herst.:

onsemi

Datenblatt:

ECAD Model:

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	19.71 CHF	19.71 CHF
	14.24 CHF	142.40 CHF
	13.28 CHF	1 328.00 CHF
	12.66 CHF	6 330.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	12.66 CHF	10 128.00 CHF
9 600	Kostenvoranschlag

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	62 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	27 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	6 V
Qg - Gate-Ladung:	43 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	214 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SiC FET
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	US
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	11 ns, 9 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt:	SiC FETs
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	26 ns, 28 ns
Serie:	UF3SC
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Typ:	SiC FET
Regelabschaltverzögerungszeit:	46 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	23 ns
Gewicht pro Stück:	4,675 g