Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

UF3C120400B7S

Name: onsemi UF3C120400B7S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C120400B7S
Price: 7.15 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

431-UF3C120400B7S

Herst.- Nr.:

UF3C120400B7S

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

SiC-MOSFETs 1200V/400MOSICFETG3TO263-7

Datenblatt:

UF3C120400B7S Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu onsemi UF3C120400B7S

Auf Lager: 1 272

Lagerbestand:: 1 272 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 22 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Lange Lieferzeit für dieses Produkt.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	7.15 CHF	7.15 CHF
	4.97 CHF	49.70 CHF
	3.70 CHF	370.00 CHF
	3.45 CHF	1 725.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 800)
	3.45 CHF	2 760.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-7
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	5.9 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	410 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	6 V
Qg - Gate-Ladung:	22.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	100 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	SiC FET
Marke:	onsemi
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	US
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	25 ns
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Anstiegszeit:	10 ns
Serie:	UF3C
Verpackung ab Werk:	800
Unterkategorie:	Transistors
Technologie:	SiC
Regelabschaltverzögerungszeit:	34 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	28 ns

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

UF3C120400B7S Datenblatt

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

UF3C SiC-FETs im D2-PAK-Gehäuse

Qorvo UF3C SiC-FETs in oberflächenmontierbaren D2-PAK-3L- und D2-PAK-7L-Gehäusen basieren auf einer einzigartigen Kaskaden-Schaltungskonfiguration und verfügen über eine ausgezeichnete Sperrverzögerung. In der Kaskoden-Schaltungskonfiguration wird ein im Normalzustand leitender SiC JFET zusammen mit einem Si MOSFET in einem Gehäuse kombiniert, um ein im Normalzustand gesperrtes SiC FET Bauelement zu erzeugen. Diese SiC-FETs bieten eine niedrige Body-Diode, eine geringe Gate-Ladung und eine Schwellenspannung von 4,8 V, die eine Ansteuerung von 0 V bis 15 V ermöglicht. Diese D2-PAK SiC-FET Bauteile sind ESD-geschützt und bietet eine Kriechstrecke >Mindestabstand im Gehäuse von 6,1 mm. Die standardmäßigen Gate-Drive-Eigenschaften der FETs sind eine Plug-and-Play-Lösung für Si IGBTs, Si FETs, SiC MOSFETs oder Si Superjunctions. Sie sind in Varianten mit einer Drain-Source-Durchschlagspannung von 1200V und 650V erhältlich und eignen sich ideal für den Einsatz in kontrollierten Umgebungen, wie z.B. Telekommunikation und Server-Stromversorgung, industriellen Stromversorgungen, Motorantrieben und Induktionserwärmung.

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.