Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

TPW1R104PB,L1XHQ

Name: Toshiba TPW1R104PB,L1XHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPW1R104PB,L1XHQ
Price: 1.92 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TPW1R104PB,L1XHQ

Herst.- Nr.:

TPW1R104PB,L1XHQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Datenblatt:

TPW1R104PB,L1XHQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Toshiba TPW1R104PB,L1XHQ

Auf Lager: 17 012

Lagerbestand:: 17 012 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 15 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-.-- CHF

Erw. Preis:

-.-- CHF

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	1.92 CHF	1.92 CHF
	0.996 CHF	9.96 CHF
	0.741 CHF	74.10 CHF
	0.646 CHF	323.00 CHF
	0.598 CHF	598.00 CHF
	0.586 CHF	1 465.00 CHF
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	0.573 CHF	2 865.00 CHF

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSOP-Advance-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.14 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	55 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	132 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Toshiba
Abfallzeit:	23 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Serie:	UMOS IX
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	71 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns
Artikel # Aliases:	TPW1R104PB,L1XHQ(O
Gewicht pro Stück:	88 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

Dokument filtern:

Datenblatt

TPW1R104PB,L1XHQ Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

Konformitätscodes

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Japan
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

U-MOSIX-H Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Automotive-Leistungs-MOSFETs sind 40-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen. Diese Bauteile sind in einem kleinen SOP-Advance-Gehäuse (WF) mit geringem Widerstand untergebracht. Sie verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand, der den Leitungsverlust reduzieren kann. Darüber hinaus senkt die U-MOSIX-H-Baureihe im Vergleich mit der vorherigen Baureihe (U-MOSIV) von Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation’, das Rauschen beim Schalten.

Automotive-Bauteile

Toshiba Automotive-Bauteile bietet ein umfangreiches Sortiment an MOSFETs, optischer Isolierung, Transistoren und Dioden für verschiedene Anwendungen in 12 V bis 48 V Batteriesystemen. Darüber hinaus bietet Toshiba automotive-taugliche Motorsteuerungstreiber an. Toshiba Automotive-Bauteile sind nach AEC-Q100 und AEC-Q101 qualifiziert.

AEC-Q101-qualifizierte Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba AEC-Q101-qualifizierten Automotive-Leistungs-MOSFETs sind ein umfangreiches Sortiment von Leistungs-MOSFETs, die verschiedene Fahrzeuganwendungen in Batteriesystemen von 12 V bis 48 V abdecken. Toshiba ist seit den 1960er Jahren im Bereich diskrete Bauteile für die Automotive-Industrie tätig, das in den 1990er Jahren mit Gleichrichtern und Automotive-MOSFETs begann. Mit Leistung und Zuverlässigkeit gehen alle Automotive-Produkte von Toshiba’ über die AEC-Q101-Standards hinaus.