Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Zurück zu Suchergebnissen

Wird ein Fehler angezeigt?

TPH1R104PB,L1XHQ

Name: Toshiba TPH1R104PB,L1XHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPH1R104PB,L1XHQ
Price: 1.75 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TPH1R104PB,L1XHQ

Herst.- Nr.:

TPH1R104PB,L1XHQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Datenblatt:

TPH1R104PB,L1XHQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Toshiba TPH1R104PB,L1XHQ

Auf Lager: 4 727

Lagerbestand:: 4 727 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 26 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

CHF -.--

Erw. Preis:

CHF -.--

Vorauss. Zolltarif:

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	CHF 1.75	CHF 1.75
	CHF 1.17	CHF 11.70
	CHF 0.826	CHF 82.60
	CHF 0.697	CHF 348.50
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	CHF 0.683	CHF 3 415.00
	CHF 0.541	CHF 5 410.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-Advance-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	120 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.14 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	55 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	132 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	23 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	8 ns
Serie:	U-MOSIX-H
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	71 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	22 ns
Artikel # Aliases:	TPH1R104PB,L1XHQ(O
Gewicht pro Stück:	360 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

Dokument filtern:

Datenblatt

TPH1R104PB,L1XHQ Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

AEC-Q101-qualifizierte Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba AEC-Q101-qualifizierten Automotive-Leistungs-MOSFETs sind ein umfangreiches Sortiment von Leistungs-MOSFETs, die verschiedene Fahrzeuganwendungen in Batteriesystemen von 12 V bis 48 V abdecken. Toshiba ist seit den 1960er Jahren im Bereich diskrete Bauteile für die Automotive-Industrie tätig, das in den 1990er Jahren mit Gleichrichtern und Automotive-MOSFETs begann. Mit Leistung und Zuverlässigkeit gehen alle Automotive-Produkte von Toshiba’ über die AEC-Q101-Standards hinaus.

U-MOSIX-H Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Automotive-Leistungs-MOSFETs sind 40-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen. Diese Bauteile sind in einem kleinen SOP-Advance-Gehäuse (WF) mit geringem Widerstand untergebracht. Sie verfügen über einen niedrigen Einschaltwiderstand, der den Leitungsverlust reduzieren kann. Darüber hinaus senkt die U-MOSIX-H-Baureihe im Vergleich mit der vorherigen Baureihe (U-MOSIV) von Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation’, das Rauschen beim Schalten.

Automotive-Bauteile

Toshiba Automotive-Bauteile bietet ein umfangreiches Sortiment an MOSFETs, optischer Isolierung, Transistoren und Dioden für verschiedene Anwendungen in 12 V bis 48 V Batteriesystemen. Darüber hinaus bietet Toshiba automotive-taugliche Motorsteuerungstreiber an. Toshiba Automotive-Bauteile sind nach AEC-Q100 und AEC-Q101 qualifiziert.

U-MOSIX-H Low Voltage Enhancement Mode MOSFETs

Toshiba U-MOSIX-H Low Voltage N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are high-efficiency MOSFETs that are specifically designed for use in the secondary side of AC-DC power supplies. This includes notebook PC adapters, game consoles, servers, desktop PCs, flat-panel displays. It also includes DC-DC power supplies for communication equipment, servers and data centers. They feature high-speed switching, small gate charge, and low drain-source on-resistance. These MOSFETs are fabricated with the latest Gen-8 and Gen-9 trench MOS processes. The U-MOSIX-H Low Voltage MOSFETs will help improve the efficiency of power supplies.
Learn More