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TK40S06N1L,LXHQ

Name: Toshiba TK40S06N1L,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK40S06N1L,LXHQ
Price: 1.3 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK40S06N1L,LXHQ

Herst.- Nr.:

TK40S06N1L,LXHQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs 2W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Datenblatt:

TK40S06N1L,LXHQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	CHF 0.395	CHF 395.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 0.351	CHF 702.00
	CHF 0.327	CHF 1 308.00

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.5 V
Qg - Gate-Ladung:	26 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	88.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	11 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	7 ns
Serie:	U-MOSVIII-H
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	38 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	16 ns
Artikel # Aliases:	TK40S06N1L,LXHQ(O
Gewicht pro Stück:	360 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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TK40S06N1L,LXHQ Datenblatt (PDF)

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Selection Guide 2024 - MOSFETs

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

U-MOSVIII-H Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba U-MOSVIII-H Automotive-Leistungs-MOSFETs sind 100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die sich hervorragend für Fahrzeuganwendungen eignen. Diese Bauteile zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand mit proprietärer Technologie und einem Cu-Steckverbinder aus. Sie verfügen über einen begrenzten Gate-Schwellenspannungsbereich von 2,5 V bis 3,5 V, der die Schaltzeittoleranz reduziert.

Automotive-Bauteile

Toshiba Automotive-Bauteile bietet ein umfangreiches Sortiment an MOSFETs, optischer Isolierung, Transistoren und Dioden für verschiedene Anwendungen in 12 V bis 48 V Batteriesystemen. Darüber hinaus bietet Toshiba automotive-taugliche Motorsteuerungstreiber an. Toshiba Automotive-Bauteile sind nach AEC-Q100 und AEC-Q101 qualifiziert.

AEC-Q101-qualifizierte Automotive-Leistungs-MOSFETs

Toshiba AEC-Q101-qualifizierten Automotive-Leistungs-MOSFETs sind ein umfangreiches Sortiment von Leistungs-MOSFETs, die verschiedene Fahrzeuganwendungen in Batteriesystemen von 12 V bis 48 V abdecken. Toshiba ist seit den 1960er Jahren im Bereich diskrete Bauteile für die Automotive-Industrie tätig, das in den 1990er Jahren mit Gleichrichtern und Automotive-MOSFETs begann. Mit Leistung und Zuverlässigkeit gehen alle Automotive-Produkte von Toshiba’ über die AEC-Q101-Standards hinaus.