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TK1R4F04PB,LXGQ

Name: Toshiba TK1R4F04PB,LXGQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK1R4F04PB,LXGQ
Price: 2.89 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK1R4F04PB,LXGQ

Herst.- Nr.:

TK1R4F04PB,LXGQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs 205W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Datenblatt:

TK1R4F04PB,LXGQ Datenblatt

ECAD Model:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TO-220SM-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	160 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.35 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	103 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	205 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	JP
Abfallzeit:	23 ns
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	14 ns
Serie:	U-MOSIX-H
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	82 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	47 ns
Artikel # Aliases:	TK1R4F04PB,LXGQ(O
Gewicht pro Stück:	1,070 g

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