TK190A65Z,S4X
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Siehe Produktspezifikationen
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757-TK190A65ZS4X
TK190A65Z,S4X
Herst.:
Beschreibung:
MOSFETs MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI
MOSFETs MOSFET 650V 190mOhms DTMOS-VI
Datenblatt:
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Preis (CHF)
| Menge | Stückpreis |
Erw. Preis
|
|---|---|---|
| CHF 3.40 | CHF 3.40 | |
| CHF 1.75 | CHF 17.50 | |
| CHF 1.54 | CHF 154.00 | |
| CHF 1.30 | CHF 650.00 | |
| CHF 1.27 | CHF 1 270.00 |
Datenblatt
Application Notes
- Basics of Diodes (Absolute Maximum Ratings and Electrical Characteristics)
- Basics of Diodes (Power Losses and Thermal Design)
- Basics of Diodes (Types and Overview of Diodes)
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors
- Bipolar Transistors Maximum Ratings
- Impacts of the dv/dt Rate on MOSFETs
- MOSFET Avalanche Ruggedness
- MOSFET Gate Driver Circuit
- MOSFET Parallening (Parasitic Oscillation Between Parallel Power MOSFETs)
- Parasitic Oscillation and Ringing of Power MOSFETs
- Power MOSFET Electrical Characteristics
- Power MOSFET Maximum Ratings
- Power MOSFET Selecting MOSFETs and Consideration for Circuit Design
- Power MOSFET Structure and Characteristics
- Power MOSFET Thermal Design and Attachment of a Thermal Fin
- Surface Mount Small Signal Transistor (BJT) Precautions for use
Models
Product Catalogs
Test/Quality Data
- CNHTS:
- 8541290000
- USHTS:
- 8541290065
- TARIC:
- 8541290000
- ECCN:
- EAR99
