TK155U60Z1,RQ

Toshiba
757-TK155U60Z1RQ
TK155U60Z1,RQ

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TOLL, DTMOS?

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Toshiba
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
TOLL-9
N-Channel
1 Channel
600 V
17 A
155 mOhms
30 V
4 V
24 nC
+ 150 C
130 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: Toshiba
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 15 ns
Verpackung ab Werk: 2000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 70 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 34 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Konformitätscodes
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs

Die TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs von Toshiba sind in U-MOSX-H- und DTMOSVI-Ausführungen erhältlich und bieten außergewöhnliche Leistungsmerkmale. Diese MOSFETs haben schnelle Sperrverzögerungszeiten, die den Wirkungsgrad in Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen verbessern, indem sie die Verzögerung zwischen dem Aus- und dem Einschaltzustand reduzieren. Der niedrige Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(on)] trägt zu minimalen Leistungsverlusten und einem verbesserten Wärmemanagement bei und macht diese MOSFETs ideal für Applikationen, die eine hohe Strombelastbarkeit mit niedriger Energiedissipation erfordern.