TK125V65Z,LQ

Toshiba
757-TK125V65ZLQ
TK125V65Z,LQ

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs MOSFET 650V 125mOhms DTMOS-VI

ECAD Model:
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Preis (CHF)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
CHF 5.44 CHF 5.44
CHF 3.67 CHF 36.70
CHF 2.72 CHF 272.00
CHF 2.71 CHF 2 710.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
CHF 2.30 CHF 5 750.00
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Toshiba
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
DFN-8
N-Channel
1 Channel
650 V
24 A
125 mOhms
- 30 V, 30 V
4 V
40 nC
- 55 C
+ 150 C
190 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Toshiba
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 4 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 18 ns
Serie: DTMOS VI
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 90 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 45 ns
Gewicht pro Stück: 161.193 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

650-V-DTMOS-VI-Superjunction-MOSFETs

Toshiba  650-V-DTMOS-VI-Superjunction-MOSFETs sind für den Betrieb in Schaltnetzteilen ausgelegt. Diese n-Kanal-MOSFETs verfügen über Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit niedriger Kapazität. Die  650-V-DTMOS-VI-Superjunction-MOSFETs bieten einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand (typisch) von 0,092 Ω bis 0,175 Ω. Diese Bauteile verfügen über eine Drain-Source-Spannung von 10 V.