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TK080U60Z1,RQ

Name: Toshiba TK080U60Z1,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK080U60Z1RQ
Price: 4.3 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK080U60Z1RQ

Herst.- Nr.:

TK080U60Z1,RQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

TK080U60Z1,RQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	2.04 CHF	204.00 CHF
	1.81 CHF	905.00 CHF
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	1.69 CHF	3 380.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	TOLL-9
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	80 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	43 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	211 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	20 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	93 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	50 ns

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Datenblatt

TK080U60Z1,RQ Datenblatt (PDF)

Konformitätscodes

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: China
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs

Die TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs von Toshiba sind in U-MOSX-H- und DTMOSVI-Ausführungen erhältlich und bieten außergewöhnliche Leistungsmerkmale. Diese MOSFETs haben schnelle Sperrverzögerungszeiten, die den Wirkungsgrad in Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen verbessern, indem sie die Verzögerung zwischen dem Aus- und dem Einschaltzustand reduzieren. Der niedrige Drain-Source-Einschaltwiderstand [R_DS(on)] trägt zu minimalen Leistungsverlusten und einem verbesserten Wärmemanagement bei und macht diese MOSFETs ideal für Applikationen, die eine hohe Strombelastbarkeit mit niedriger Energiedissipation erfordern.