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TK055U60Z1,RQ

Name: Toshiba TK055U60Z1,RQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK055U60Z1RQ
Price: 6.36 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK055U60Z1RQ

Herst.- Nr.:

TK055U60Z1,RQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs 600V DTMOS VI TOLL 55mohm

Datenblatt:

TK055U60Z1,RQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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	4.34 CHF	43.40 CHF
	3.62 CHF	362.00 CHF
	3.29 CHF	1 645.00 CHF
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	3.01 CHF	6 020.00 CHF

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	600 V
Id - Drain-Gleichstrom:	40 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	55 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 30 V, 30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4 V
Qg - Gate-Ladung:	65 nC
Pd - Verlustleistung:	270 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Toshiba
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	5 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	132 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	59 ns

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Datenblatt

TK055U60Z1,RQ Datenblatt (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Hochspannungs-DTMOS-VI-MOSFETs im TOLL-Gehäuse

Toshiba DTMOSVI Hochspannungs-MOSFETs im TOLL-Gehäuse verfügen über einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand (Rdson) und Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften mit niedriger Kapazität. Dadurch eignen sie sich hervorragend für Schaltnetzteil-Applikationen. Diese DTMOSVI der neuesten Generation bietet den niedrigsten Gütefaktor RDS(ON)xQgd und ist im neuen TOLL-Gehäuse (9,9 × 11,68 × 2,3 mm) mit einer Kelvin-Quellenverbindung zur Reduzierung von Einschalt- und Ausschaltverlusten untergebracht.