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TJ8S06M3L,LXHQ

Name: Toshiba TJ8S06M3L,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TJ8S06M3L,LXHQ
Price: 1.07 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TJ8S06M3L,LXHQ

Herst.- Nr.:

TJ8S06M3L,LXHQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Datenblatt:

TJ8S06M3L,LXHQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

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Cut-Tape

MouseReel™ (+CHF 7.00)

Preis (CHF)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	CHF 1.07	CHF 1.07
	CHF 0.684	CHF 6.84
	CHF 0.453	CHF 45.30
	CHF 0.353	CHF 176.50
	CHF 0.321	CHF 321.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 0.289	CHF 578.00
	CHF 0.256	CHF 1 024.00
	CHF 0.254	CHF 2 540.00

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von CHF 7.00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	104 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	19 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	27 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Abfallzeit:	34 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6 ns
Serie:	UMOS VI
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	140 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	14 ns
Artikel # Aliases:	TJ8S06M3L,LXHQ(O
Gewicht pro Stück:	360 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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Datenblatt

TJ8S06M3L,LXHQ Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Simulation Model

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

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