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TJ30S06M3L,LXHQ

Name: Toshiba TJ30S06M3L,LXHQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TJ30S06M3L,LXHQ
Price: 1.28 CHF
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TJ30S06M3L,LXHQ

Herst.- Nr.:

TJ30S06M3L,LXHQ

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs 68W 1MHz Automotive; AEC-Q101

Datenblatt:

TJ30S06M3L,LXHQ Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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	CHF 0.859	CHF 8.59
	CHF 0.599	CHF 59.90
	CHF 0.473	CHF 236.50
	CHF 0.432	CHF 432.00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	CHF 0.385	CHF 770.00
	CHF 0.365	CHF 1 460.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	21.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3 V
Qg - Gate-Ladung:	80 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	68 W
Kanalmodus:	Enhancement
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	Toshiba
Abfallzeit:	118 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	43 ns
Serie:	UMOS VI
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	430 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	64 ns
Artikel # Aliases:	TJ30S06M3L,LXHQ(O
Gewicht pro Stück:	360 mg

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Ausgewählte Attribute: 0

                        
Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Automotive products 
may be used as engineering samples, however; they are not intended for 
volume automotive production or reliability testing without prior 
approval by Toshiba Semiconductor and Storage. 
Please contact a Mouser Technical Sales Representative for 
further assistance.
5-0320-2

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Datenblatt

TJ30S06M3L,LXHQ Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Simulation Model

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

U-MOSVI Automotive-Leistungs-MOSFETs

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Toshiba Automotive-Bauteile bietet ein umfangreiches Sortiment an MOSFETs, optischer Isolierung, Transistoren und Dioden für verschiedene Anwendungen in 12 V bis 48 V Batteriesystemen. Darüber hinaus bietet Toshiba automotive-taugliche Motorsteuerungstreiber an. Toshiba Automotive-Bauteile sind nach AEC-Q100 und AEC-Q101 qualifiziert.